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Planar non-volatile memory based on metal nanoparticles

Autor(es): Kiazadeh, A. cv logo 1 ; Gomes, Henrique L. cv logo 2 ; Costa, Ana M. Rosa da cv logo 3 ; Rocha, P. R. F. cv logo 4 ; Chen, Q. cv logo 5 ; Moreira, José A. cv logo 6 ; De Leeuw, Dago M. cv logo 7 ; Meskers, S. C. J. cv logo 8

Data: 2011

Identificador Persistente: http://hdl.handle.net/10400.1/3230

Origem: Sapientia - Universidade do Algarve

Assunto(s): Electrical properties; Nanostructure; Ag


Descrição
Resistive switching properties of silver nanoparticles hosted in an insulating polymer matrix (poly(N-vinyl-2-pyrrolidone) are reported. Planar devices structures using interdigitated gold electrodes were fabricated. These devices have on/off resistance ratio as high as 103 , retention times reaching to months and good endurance cycles. Temperature-dependent measurements show that the charge transport is weakly thermal activated (73 meV) for both states suggesting that nanoparticles will not aggregate into a metallic filament.
Tipo de Documento Artigo
Idioma Inglês
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