Autor(es):
Cruz, André Passos Correia da 
Data: 2007
Identificador Persistente: http://hdl.handle.net/10773/2586
Origem: RIA - Repositório Institucional da Universidade de Aveiro
Assunto(s): Física aplicada; Nitreto de alumínio; Semicondutores; Fotoluminescência
Descrição
Os filmes finos de Nitreto de Alumínio (AlN) fazem parte de um grupo de
materiais, denominados nitretos III-V, em conjunto com o nitreto de gálio
(GaN) e nitreto de índio (InN), que possuem propriedades físicas e químicas
bastante promissoras para aplicações tecnológicas. O nitreto de alumínio
destaca-se devido à sua elevada dissipação térmica, elevado ponto de fusão
e hiato óptico, fazendo com que seja actualmente objecto de pesquisa como
material extremamente útil em dispositivos optoelectrónicos. A principal
motivação para a realização deste trabalho reside no estudo das propriedades
ópticas e estruturais do AlN e ligas por ele formadas, tendo em vista a
aplicação deste material em dispositivos optoelectrónicos.
Neste trabalho são utilizadas as técnicas Raman, Fotoluminescência e
Rutherford Backskattering (RBS) na caracterização de defeitos e impurezas
em amostras de Nitreto de Alumínio (AlN) intencionalmente dopado com
Európio.
No primeiro capítulo será feita uma introdução a este trabalho, onde são
estabelecidos os objectivos a atingir. As propriedades e características do
nitreto de alumínio serão apresentadas no segundo capítulo, sendo que o
terceiro capítulo é dedicado à descrição das técnicas utilizadas. No quarto
capítulo são apresentados os resultados alcançados e finalmente no quinto e
último capítulo, resumem-se as conclusões e apresentam-se sugestões para
trabalhos futuros.
ABSTRACT: Thin films of Aluminum Nitride (AlN), gallium Nitride (GaN) and Indium Nitride
(InN) belong to a group of materials named nitrides III-V, characterized by
physical and chemical properties very interesting for technological
applications. Between these materials, the Aluminum Nitride emphasizes due
to several properties, namely its high thermal dissipation, high fusion point and
wide band gap, being actually theme of research as a very useful material in
optoelectronic devices. The main motivation for this thesis belongs in the study
of the optical and structural properties of AlN and leagues formed by it, having
in mind the applicability of this material in optoelectronic devices.
This study gives special relevance to optical techniques, namely
photoluminescence and Raman, in order to characterize defects and
impurities in Aluminum Nitride (AlN) samples intentionally doped with
Europium.
In the first chapter is presented an introduction to the study developed where
are established the aims of this work. The properties and characteristics of
Aluminum Nitride are presented on chapter two, being the third chapter related
to the description of the techniques used. In the fourth chapter the results
obtained are presented, and finally in the fifth chapter, the conclusions of this
study are briefly resumed and are presented some features for further works. Mestrado em Física Aplicada
