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Electronic Circuits for Wireless Optical LANs - I

Author(s): Rui L. Aguiar cv logo 1 ; António Tavares cv logo 2 ; José Luis Cura cv logo 3 ; Eduardo de Vasconcelos cv logo 4 ; Luis Nero Alves cv logo 5 ; Rui Valadas cv logo 6 ; Dinis M. Santos cv logo 7

Date: 2013

Origin: Electrónica e Telecomunicações

Subject(s): wireless optical LANs; electronic circuits; wireless optical LANs; electronic circuits


Description
This is the first of two papers discussing practical issues and results on the implementation of low-cost transceivers for several wireless optical LANs, covering most physical layer elements.Target optical LANs under consideration have bit-rates varying between 4Mbps and 25Mbps, and input photodiode capacitance may vary between 10pF and 50pF. PPM modulation, either in a 4-PPM or 16-PPM format, istypically used in the physical layer.Several differential front-end topologies are presented bothin discrete and integrated (CMOS) implementations, targeting different LANs. Strategies for bandwidth improvement, interference reduction and dynamic range improvement have been used in some of these topologies.These strategies lead to a switched-gain transceiver with a transimpedance gain*bandwidth of 25THzΩ , achieved witha 10pF capacitance photodiode. Este é o primeiro de dois artigos que discutem a implementação de emissores/receptores para redes locais não cabladas utilizando a tecnologia de infravermelhos, de baixo custo. O trabalho aqui apresentado cobre maioritariamente os elementos da camada física.As redes locais não cabladas consideradas têm taxas de transmissão entre 4Mbps e 25Mbps, e a capacidade dofotodíodo receptor entre 10pF e 50pF. Os tipos de modulaçãoconsiderados são tipicamente 4-PPM ou 16-PPM.Neste artigo são apresentadas diferentes topologias de front-end, quer em implementações discretas, quer emintegradas (CMOS), tendo como objectivo diferentes redesalvo. Estratégias para melhoramento de largura de banda,redução de interferência, e melhoramento de gama dinâmicaforam usadas em algumas destas topologias. Estas estratégias conduziram a um receptor de ganhos comutados com produto ganho*largura de banda de 25THzΩ, conseguidos com 10pF de capacidade do fotodíodo.
Document Type Article
Language English
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