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Análise computacional de defeitos intersticiais em nanocristais de Si

Neste trabalho são estudadas diferentes propriedades de defeitos intersticiais em silício cristalino e nanocristais de silílico. Os modelos são baseados na teoria do funcional da densidade. Numa fase inicial são feitos testes de convergência para escolher parâmetros de modelação, em particular as funções de base. Para clarificar a identidade de alguns centros de origem intersticial, são estudados vários modelos...