As device dimensions shrink to the deep-submicron scale, new challenges arises from the very small scale used and even poly crystalline silicon (poly-Si) presents problems as gate electrode. The use of SiGe as gate material can present many advantages over the poly-Si, as it leads to a lower boron penetration and gate depletion. In this paper authors present some morphological studies of polycrystalline SiGe th...
Introdução; Objetivo; Equipe do projeto; Atividades de pesquisa; Ano agrícola 2002/03; Ano agrícola 2003/04; Ano agrícola 2004/05; Lançamento de cultivares; Atividades de difusão de tecnologia; Considerações gerais. ; 2005
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