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Comparação dos efeitos de exposição a nanopartículas de TiO2 em duas espécies d...

Diniz, M. S.; Lourenço, Joana; Matos, A. Alves de; Peres, Isabel; Castro, Luísa; Ferreira, Isabel; Barquinha, Pedro; Fortunato, E.; Silva, Luís Manuel

Data: 2013   |   Origem: Repositório do LNEG

Avaliação de efeitos de nanopartículas de TI02 e nanoDiamante em organismos aqu...

Diniz, M. S.; Lourenço, Joana; Crocco, Hellena; Peres, Isabel; Castro, Luísa; Ferreira, Isabel; Barquinha, Pedro; Silva, Luís Manuel; Mendonça, E.

Data: 2011   |   Origem: Repositório do LNEG

Bioacumulação e efeitos da exposição a nanopartículas de TiO2 em Corbicula flum...

Lourenço, Joana; Diniz, M. S.; Peres, Isabel; Castro, Luísa; Ferreira, Isabel; Barquinha, Pedro; Fortunato, E.; Picado, Ana

Data: 2011   |   Origem: Repositório do LNEG

Transparent oxide thin-film transistors: production, characterization and integ...

Barquinha, Pedro Miguel Cândido

In partial fulfillment of the requirements for the degree of Doctor of Philosophy in Nanotechnologies and Nanosciences by Universidade Nova de Lisboa Faculdade de Ciências e Tecnologia

Data: 2010   |   Origem: Repositório Institucional da UNL

High-performance flexible hybrid field-effect transistors based on cellulose fi...

Fortunato, Elvira; Correia, Nuno; Barquinha, Pedro; Pereira, Luís; Gonçalves, Gonçalo; Martins, Rodrigo

IEEE Electron Device Letters, VOL. 29, NO. 9, ; Abstract—In this letter, we report for the first time the use of a sheet of cellulose-fiber-based paper as the dielectric layer used in oxide-based semiconductor thin-film field-effect transistors(FETs). In this new approach, we are using the cellulose–fiber-based paper in an “interstrate” structure since the device is built on both sides of the cellulose sheet. ...

Data: 2008   |   Origem: Repositório Institucional da UNL

Write-erase and read paper memory transistor

Martins, Rodrigo; Barquinha, Pedro; Pereira, Luís; Correia, Nuno; Gonçalves, Gonçalo; Ferreira, Isabel; Fortunato, Elvira

Applied Physics Letters, Vol.93, issue 20 ; We report the architecture and the performances of a memory based on a single field-effect transistor built on paper able to write-erase and read. The device is composed of natural multilayer cellulose fibers that simultaneously act as structural support and gate dielectric; active and passive multicomponent amorphous oxides that work as the channel and gate electrod...

Data: 2008   |   Origem: Repositório Institucional da UNL

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