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Estudos de reflectividade no UV/visível em camadas epitaxiais de AlyInxGa1-y-xN...

No presente estudo foi estabelecida a dependência da energia de hiato da liga quaternária AlyInxGa1-x-yN, na estrutura da wurtzite, com a razão de composição [Al]/[In] existente nos filmes. As amostras estudadas consistem em filmes epitaxiais crescidos por deposição organometálica em fase de vapor (MOCVD), em substrato de GaN/safira. Como as amostras são crescidas sobre GaN, cuja energia de hiato é ~3,4eV à Tam...