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Comparative study of n-p GaN/SiC heterojunction and p-n 6H-SiC homojunction diodes

Autor(es): Vacas, J. cv logo 1 ; Lahrèche, H. cv logo 2 ; Monteiro, T. cv logo 3 ; Caspar, C. cv logo 4 ; Pereira, E. cv logo 5 ; Brylinski, C. cv logo 6 ; Di Forte-Poisson, M.A. cv logo 7

Data: 2000

Identificador Persistente: http://hdl.handle.net/10773/6087

Origem: RIA - Repositório Institucional da Universidade de Aveiro

Assunto(s): Homojunction and heterojunction diodes; electroluminescence; deep level


Descrição
A comparative study between GaN/SiC heterojunction and 6H-SiC homojunction diodes has been performed to understand the physical properties of n-p GaN/SiC heterojunction interface. The 6H-SiC homojunction diodes presented typical I-V characteristics with satisfactory breakdown voltage (≅-800 V), however, the GaN/SiC heterojunction diodes showed an abnormal low forward turn-on voltage (≅1.8 V). The presence of a deep-level 1 eV below the p-SiC conduction band, is probably responsible for a tunneling- assisted current at low forward voltages, due to a high concentration of interface defects.
Tipo de Documento Artigo
Idioma Inglês
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